河南金質絕緣新材料有限公司座落于絕緣材料生產歷史悠久，技術底蘊深厚的中原腹地許昌，是一家生產電機轉子絕緣漆，絕緣紙，復合薄膜，浸漬纖維，絕緣套管，絕緣織帶，黃臘管等絕緣材料的廠家。接下來請看金質詳談聚酰亞胺薄膜復合材料第一章。
電子封裝材料作為集成電路產業中的重要材料，主要起到半導體集成電路（IC）芯片支撐、IC芯片保護、絕緣、散熱與外電路互連等作用。應用于電子封裝行業中的聚酰亞胺（PI）材料由于具有綜合性能優異、容易產業化等特點，目前已被廣泛作為層間絕緣或基板材料等使用。但作為電子封裝材料，PI薄膜的熱膨脹系數（CTE）比金屬和硅類無機材料更高，因而在使用中受限。一般PI薄膜的CTE值高于30x10的-6次方/K，而其他常見電子材料的CTE值有很多。若CTE不匹配，極易導致電子器件中的PI薄膜在工作過程中與粘合的不同材料基體之間發生開裂和剝離等不良現象?；谏鲜鰡栴}，研究生產出具有較低CTE且CTE范圍可調的綜合性能優異的PI薄膜，使之與上述材料相關性能相匹配，成為電子封裝材料領域亟待解決的關鍵問題。
聚合物的CTE一般取決于聚合物分子鏈間的相互作用、分子排列和聚集態結構，其中規整近平面形狀的共軛棒狀結構具有分子間作用力強、立體阻礙較低、分子鏈趨于緊密堆砌的特點，分子的固有和自由體積都明顯降低，宏觀上表現為較低的CTE。研究表明，相同制備條件下，PI主鏈的剛性越強，其CTE值越低。2-（4-氨基苯基）-5-氨基苯并噁（DAPBO）因含有噁唑雜環結構而具有較強的剛性，作為制備PI的一種二胺單體，DAPBO的直線型分子結構有利于PI分子鏈形成規整的聚集態結構，理論上可滿足制備低CTE值且綜合性能優異的PI薄膜的條件。然而噁唑環結構的引入多集中在提高PI薄膜的熱性能和力學性能兩個方面，而用以調控PI薄膜CTE為主的研究卻鮮有報道。
綜合性能優異的二胺單體PDA與ODA摩爾比為7:3的三元體系s-BPDA/ODA/PDA作為基礎體系，以獲得低CTE且方便可調、綜合性能更加優異的PI為目的，嘗試引入二胺單體DAPBO，通過改變體系中P7O3與DAPBO的比例，采用無規共聚發制備PI薄膜、系統地研究DAPBO的引入對該系列PI薄膜CTE、玻璃化轉變溫度、熱穩定性和力學性能的影響。
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